TSMC تولید انبوه تراشه‌های ۲

پیشرفت سریع شرکت‌های طراح تراشه‌های الکترونیکی باعث شده است تعداد ترانزیستور موجود در این قطعات هر روز بیشتر شود؛ به‌گونه‌ای که تراشه M1 اپل که اولین نسل از پردازنده‌ی ساخت این شرکت برای استفاده در محصولات مک است، از ۱۶ میلیارد ترانزیستور تشکیل شده است.

باتوجه‌به محدودیت ابعاد تراشه‌های به‌کار‌رفته در وسایل الکترونیکی قابل‌حمل، مانند گوشی‌های تلفن‌همراه و لپ‌تاپ‌ها با افزایش تعداد ترانزیستورها باید ابعاد هر ترانزیستور کاهش یابد تا اندازه‌ی تراشه‌ی تولید‌شده افزایش نیابد.

یکی از موانع حال حاضر صنعت نیمه‌رسانا کاهش ابعاد ترانزیستورها در ابعاد نانومتر است؛ زیرا با کوچک‌شدن ابعاد ترانزیستورها، جریان نشتی هر ترانزیستور افزایش می‌یابد و درنهایت، به افزایش گرما و توان مصرفی تراشه‌ی الکترونیکی تولید‌شده منجر خواهد شد. در این زمینه، شرکت سازنده‌ی قطعات نیمه‌رسانای تایوان، TSMC، قدم بزرگی در توسعه‌ی فرایند تولید تراشه‌های الکترونیکی ۲ نانومتری خود برداشته است.

به‌نقل از رسانه‌ی چینی GizChina، شرکت TSMC سال گذشته گروه تحقیق‌و‌توسعه برای تعیین روش دستیابی به فناوری ۲ نانومتری تشکیل داده است. بر‌اساس ادعای منابع زنجیره‌ی تأمین TSMC، این شرکت به‌منظور غلبه بر محدودیت‌های فیزیکی مربوط به استفاده از تکنولوژی FinFET در ارتباط با کنترل جریان‌ نشتی ناشی از کوچک‌شدن فرایند تولید، به معماری‌ای بر‌پایه‌ی ترانزیستورهای نوین اثر میدان کانال چند پل (MBCFET Transistors) روی آورده است.

مقاله‌ی منتشرشده یادآوری می‌کند شرکت TSMC پیش‌از‌این مدعی شده بود که روند تحقیق‌و‌توسعه و تولید تراشه‌های ۲ نانومتری این شرکت در بائوشان چین و سینچو تایوان انجام خواهد شد. این شرکت افزوده است که در حال برنامه‌ریزی برای ایجاد چهار مجموعه‌ی بزرگ تولید ویفرهای سیلیکونی موردنیاز خود در مساحتی به بزرگی ۲۲۲ هکتار است.

به‌گفته‌ی منابع اطلاعاتی موثق، TSMC امیدوار است پیش از شروع فرایند تولید انبوه در سال ۲۰۲۴، در نیمه دوم سال ۲۰۲۳ به توانایی تولید آزمایشی با ریسک محدود و ظرفیت حداقل ۹۰ درصد دست یابد. البته باتوجه‌به وضعیت همه‌گیری ویروس کرونا در جهان، مشخص نیست این زمان‌بندی محقق خواهد شد یا خیر.

منبع : زومیت